• 27
    2026-05

    消息称三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发

    据韩媒ETNews 5月25日报道，三星电子已成功研制出全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，验证了存储单元的正常工作特性。这项突破不靠蛮力一层层往上堆，而是依靠革命性的单元多层键合（CMB，Cell Multi Bonding）技术，将两片各450层的单元晶圆精妙键合，直接将堆叠层数翻倍至900层，彻底颠覆了NAND闪存微缩演进的底层逻辑。这意味着，在3D NAND这场没有天花板的竞速赛中，三星已抢先在实验室层面敲开了千层时代的大门。该样品已在器件特性测试中验证了芯片可正常工作。

  • 26
    2026-05

    SK海力士发布控温散热存储技术“iHBM”：热阻狂砍30%，HBM5秒变“冷静王者”

    2026年5月26日，这家韩国存储巨头正式向外界公布了其名为“iHBM”的下一代革命性散热存储技术，通过在高带宽存储器（HBM）封装内部直接集成一体化冷却元件，从底层架构上彻底颠覆了传统芯片的散热规则。这不仅是一次技术更新，更是一场关乎AI基础设施生死存亡的“降温革命”。

  • 25
    2026-05

    新型NAND闪存抗辐射能力达传统闪存30倍，深空AI稳了

    近日，美国佐治亚理工学院Asif Khan团队交出了一份炸裂的答卷。据《科技日报》报道，该团队成功研制出一款基于氧化铪铁电材料的新型NAND闪存，不仅能高效处理AI任务，抗辐射能力更是传统NAND闪存的30倍

  • 25
    2026-05

    华为推出“韬定律” 改写全球半导体规则

    5月25日，华为正式发表“韬（τ）定律”，为半导体与电子系统演进提供全新指导原则。预计到2031年，基于该定律的高端芯片晶体管密度有望达到1.4纳米制程的同等水平。