比亚迪自研4nm芯片一出 两家智驾芯片公司5天没了80亿

存储芯片产业“超级周期”能走多远

英特尔砸下35亿美元打造全球首座玻璃基板量产基地

AI算力狂飙引发的连锁反应，正在向先进封装产业链的最深处传导。继今年1月高调展示EMIB+玻璃基板集成封装样品后，英特尔日前再度抛出重磅战略——计划将位于美国新墨西哥州的里奥兰乔（Rio Rancho）工厂全面改造为全球首个玻璃基板量产基地

消息称三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发

据韩媒ETNews 5月25日报道，三星电子已成功研制出全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，验证了存储单元的正常工作特性。这项突破不靠蛮力一层层往上堆，而是依靠革命性的单元多层键合（CMB，Cell Multi Bonding）技术，将两片各450层的单元晶圆精妙键合，直接将堆叠层数翻倍至900层，彻底颠覆了NAND闪存微缩演进的底层逻辑。这意味着，在3D NAND这场没有天花板的竞速赛中，三星已抢先在实验室层面敲开了千层时代的大门。该样品已在器件特性测试中验证了芯片可正常工作。