• 25
    2026-05

    新型NAND闪存抗辐射能力达传统闪存30倍，深空AI稳了

    近日，美国佐治亚理工学院Asif Khan团队交出了一份炸裂的答卷。据《科技日报》报道，该团队成功研制出一款基于氧化铪铁电材料的新型NAND闪存，不仅能高效处理AI任务，抗辐射能力更是传统NAND闪存的30倍

  • 25
    2026-05

    华为推出“韬定律” 改写全球半导体规则

    5月25日，华为正式发表“韬（τ）定律”，为半导体与电子系统演进提供全新指导原则。预计到2031年，基于该定律的高端芯片晶体管密度有望达到1.4纳米制程的同等水平。

  • 19
    2026-05

    AI服务器吸干MLCC产能，高端需求扩张有望催化MLCC价格反转

    在AI芯片需求的持续“虹吸”下，高端MLCC供需已进入偏紧状态，消费类MLCC的供货弹性逐季收窄，部分代理商已启动预防性囤购，供应商则以调价积极回应。更为关键的信号来自ODM端的议价结果：整体MLCC价格平均降幅已收窄至近三年最低，不到0.5%——卖方定价话语权正在强势回归。

  • 19
    2026-05

    三星移动HBM封装技术曝光：铜柱“瘦身”9倍，带宽飙升30%

    据Trendforce、ETNews等多家科技媒体报道，三星正在开发一项名为"多层堆叠FOWLP"的下一代移动HBM封装技术，旨在为智能手机、平板电脑等移动终端注入"端侧AI"的算力血液。这项技术被视为三星此前VCS（垂直铜柱堆叠）技术的重大升级，有望将移动内存带宽提升15%至30%，内存堆叠容量增加1.5倍以上。