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- 10
- 2026-04
三星联手顶尖学府祭出“垂直芯片”：HBM性能被逼至极限，I/O吞吐量飙升10倍！
据业内最新消息，这项由三星未来技术研究计划支持、韩国科学技术院（KAIST）主导的研发项目已取得里程碑式突破，其目标是将HBM的I/O（输入/输出）性能提升10倍，带宽提升4倍，以此突破困扰AI芯片发展的“内存墙”障碍。
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- 08
- 2026-04
积塔与英飞凌重磅签约，SONOS技术补齐最后一块拼图
就在近日，上海积塔半导体与全球汽车芯片巨头英飞凌，在上海签署了一项意义深远的项目合作协议。
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- 07
- 2026-04
三星据称已解决SOCAMM2翘曲问题
据韩媒ETNews最新报道，三星已成功解决了SOCAMM2设计中的“翘曲”问题。
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- 07
- 2026-04