BSC028N06NS晶体管
原装正品优势库存公司现货假一罚十
BSC028N06NS
立即咨询

产品属性属性值选择属性

制造商: Infineon  

产品种类: MOSFET  

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: TDSON-8  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 60 V  

Id-连续漏极电流: 100 A  

Rds On-漏源导通电阻: 2.8 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V  

Qg-栅极电荷: 37 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 83 W  

通道模式: Enhancement  

商标名: OptiMOS  

系列: OptiMOS 5  

封装: Reel  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

商标: Infineon Technologies  

配置: Single  

下降时间: 8 ns  

正向跨导 - 最小值: 50 S  

高度: 1.27 mm  

长度: 5.9 mm  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 38 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel  

典型关闭延迟时间: 19 ns  

典型接通延迟时间: 11 ns  

宽度: 5.15 mm  

零件号别名: SP000917416 BSC28N6NSXT BSC028N06NSATMA1  

单位重量: 104.400 mg

资料下载
    暂无信息