类型描述选择

类别 分立半导体产品晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET  

制造商 Infineon Technologies  

系列 HEXFET®  

包装 管件  

产品状态 在售  

FET 类型 N 通道  

技术 MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss） 250 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 46A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 46 毫欧 @ 26A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 110 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±30V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4560 pF @ 25 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 330W（Tc）  

工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型 通孔  

供应商器件封装 TO-220AB  

封装/外壳 TO-220-3  

基本产品编号 IRFB4229