IRFB3207PBF晶体管
立即咨询

类型描述选择

类别 分立半导体产品晶体管FET,MOSFET单 FET,MOSFET  

制造商 Infineon Technologies  

系列 HEXFET®  

包装 管件  

产品状态 在售  

FET 类型 N 通道  

技术 MOSFET(金属氧化物)  

漏源电压(Vdss) 75 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 170A(Tc)  

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.5 毫欧 @ 75A,10V  

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 260 nC @ 10 V  

Vgs(最大值) ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 7600 pF @ 50 V  

FET 功能 -  

功率耗散(最大值) 330W(Tc)  

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  

安装类型 通孔  

供应商器件封装 TO-220AB  

封装/外壳 TO-220-3  

基本产品编号 IRFB3207

资料下载
    暂无信息