产品应用
类型描述选择
类别 分立半导体产品晶体管FET,MOSFET单 FET,MOSFET
制造商 Infineon Technologies
系列 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.3 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 17µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30 nC @ 10 V
Vgs(最大值) +20V,-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2340 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 46W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3-313
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号 IPD50
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