IRFR3607TRPBF
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类别 分立半导体产品晶体管FET,MOSFET单 FET,MOSFET  

制造商 Infineon Technologies  

系列 HEXFET®  

包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带  

产品状态 在售  

FET 类型 N 通道  

技术 MOSFET(金属氧化物)  

漏源电压(Vdss) 75 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 56A(Tc)  

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9 毫欧 @ 46A,10V  

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 84 nC @ 10 V  

Vgs(最大值) ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3070 pF @ 50 V  

FET 功能 -  

功率耗散(最大值) 140W(Tc)  

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  

安装类型 表面贴装型  

供应商器件封装 D-Pak  

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  

基本产品编号 IRFR3607

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