IPD50N06S4-09
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制造商: Infineon  

产品种类: MOSFET  

RoHS:  详细信息  

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: TO-252-3  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 60 V  

Id-连续漏极电流: 50 A  

Rds On-漏源导通电阻: 7.1 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V  

Qg-栅极电荷: 47 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 175 C  

Pd-功率耗散: 71 W  

通道模式: Enhancement  

商标名: OptiMOS  

系列: OptiMOS-T2  

封装: Reel  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

商标: Infineon Technologies  

配置: Single  

下降时间: 5 ns  

高度: 2.3 mm  

长度: 6.5 mm  

产品: OptiMOS T2  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 40 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: OptiMOS T2 Power Transistor  

典型关闭延迟时间: 20 ns  

典型接通延迟时间: 15 ns  

宽度: 6.22 mm  

零件号别名: SP000374321 IPD5N6S49XT IPD50N06S409ATMA1  

单位重量: 330 mg

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