类别 分立半导体产品晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET  

制造商 Infineon Technologies  

系列 HEXFET®, StrongIRFET™  

包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带  

Product Status 在售  

FET 类型 N 通道  

技术 MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss） 40 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 195A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.8 毫欧 @ 100A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 150µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 225 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 7330 pF @ 25 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 230W（Tc）  

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型 表面贴装型  

供应商器件封装 TO-263AB  

封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  

基本产品编号 IRFS7437