SI4848DY-T1-GE3晶体管
SI4848DY-T1-GE3
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类别 分立半导体产品晶体管FET,MOSFET单 FET,MOSFET  

制造商 Vishay Siliconix  

系列 TrenchFET®  

包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带  

Product Status 在售  

FET 类型 N 通道  

技术 MOSFET(金属氧化物)  

漏源电压(Vdss) 150 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.7A(Ta)  

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 85 毫欧 @ 3.5A,10V  

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA(最小)  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 21 nC @ 10 V  

Vgs(最大值) ±20V  

FET 功能 -  

功率耗散(最大值) 1.5W(Ta)  

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  

安装类型 表面贴装型  

供应商器件封装 8-SOIC  

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  

基本产品编号 SI4848  

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