类别 分立半导体产品晶体管FET，MOSFETFET、MOSFET 阵列  

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  

系列 -  

包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带  

Product Status 在售  

技术 MOSFET（金属氧化物）  

配置 2 N-通道（双）  

FET 功能 -  

漏源电压（Vdss） 20V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100mA  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3 欧姆 @ 10mA，4V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.1V @ 100µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） -  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 9.3pF @ 3V  

功率 - 最大值 200mW  

工作温度 150°C（TJ）  

安装类型 表面贴装型  

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  

供应商器件封装 US6  

基本产品编号 SSM6N16