据韩国《首尔经济日报》援引业内消息人士报道，三星电子计划采用台积电3纳米工艺，制造英伟达下一代定制高带宽内存NVHBM的基底裸片。为确保产品性能一致，英伟达已向三星电子、SK海力士、美光三家存储厂商提出统一规范：NVHBM的基底裸片制造环节均须使用台积电3纳米工艺，核心DRAM裸片则统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。这也是三星首次在半导体HBM制造环节与台积电开展合作。

NVHBM是英伟达于2026年8月发布的定制化HBM产品，基于HBM4E架构开发，其特点是将英伟达定制内存控制器集成至基底裸片内。此前，三星对外供应的HBM产品均采用自主一站式生产模式，DRAM核心裸片与基底裸片全部由自有产线制造，其中HBM4的基底裸片使用三星自家的4nm SF4工艺。

报道显示，三星经内部评估后接受了英伟达的工艺要求，但并未改变其他HBM产品的生产策略：面向其他客户的标准HBM及其余定制化HBM产品，基底裸片仍保留内部自主生产方案。同时，三星也在评估备选方案，若后续NVHBM订单需求超出其台积电产能上限，将考虑启用自有产线生产该款基底裸片。

英伟达推动三家存储供应商统一基底裸片制造工艺，意在消除厂商间工艺差异带来的性能波动，减少多供应商方案下的产品验证工作量，使NVHBM在其AI芯片平台上实现稳定、一致的运行表现。此举也改变了HBM产业传统的生产分工：以往存储原厂包揽HBM整套堆叠芯片制造，而NVHBM方案将基底逻辑裸片剥离出来，交由外部晶圆代工厂制造，存储厂商则主要负责DRAM存储裸片生产与HBM堆叠封装工序。