为抢占下一代功率半导体市场高地，三星电子正加速推进其碳化硅（SiC）技术布局。据业内消息，三星计划于今年第三季度正式推出SiC功率半导体样品，目前已进入原材料及核心设备的采购阶段，标志着其在该领域的研发已进入商业化前夜。

据悉，三星即将推出的首款样品为平面型SiC MOSFET，主要面向对可靠性要求极高的车规级和工业级应用。未来，公司计划进一步拓展产品线，涵盖沟槽型SiC MOSFET、SiC肖特基二极管（SBD）以及功率模块等，构建完整的SiC功率器件产品矩阵。

强化人才与组织保障，夯实技术根基

早在2023年，三星电子便已着手组建核心团队，聘请曾任安森美半导体高管的洪锡俊（Stephen Hong）担任副总裁，专门负责SiC功率半导体业务的推进。为此，三星设立了专项业务部门（V-TF），以加速相关技术的研发与商业化进程。

与此同时，三星综合技术院也在积极攻关SiC沟槽MOSFET等核心技术，并已申请多项相关专利，旨在通过结构创新提升器件的性能与可靠性。

跨代布局8英寸晶圆，提升制造竞争力

在制造端，三星采取了激进的跨代策略。据报道，公司已投入约1000亿至2000亿韩元（约合人民币5.2亿至10.4亿元），引进了包括Aixtron公司MOCVD设备在内的关键工艺装备，用于SiC及氮化镓（GaN）功率半导体的晶圆加工。

值得注意的是，三星计划跳过传统的6英寸阶段，直接采用8英寸晶圆进行SiC器件量产。这一策略有望大幅提升单片晶圆的芯片产出数量，从而在未来的市场竞争中占据显著的规模与成本优势。

助力韩国构建第三代半导体产业链

三星的全面布局，也被视为推动韩国构建第三代半导体产业生态的重要一环。近期，韩国产业通商资源部（MOTIE）已正式成立“下一代功率半导体推进协调小组”，并发布了一项国家战略级的五年行动计划。

该计划明确提出，到2030年将韩国下一代功率半导体的技术自主率从目前的10%提升至20%以上，将基于SiC和GaN的功率半导体技术明确定位为“国家战略基础设施”。三星作为产业龙头，其动向不仅关乎企业自身业务版图的完善，更将对韩国在全球功率半导体竞争中的地位产生深远影响。